Uno dei materiali di alto livello in metallo di silicio

Metallo di silicioè un'importante materia prima per la produzione di organosilicio e silicio elettronico, che richiede la raffinazione per ridurre le impurità. Il metodo di ossidazione è un metodo di rimozione di raffinazione e impurità relativamente efficace. Quando si utilizza questo metodo, selezionare scorie con densità adeguata, viscosità, temperatura della linea di fase liquida e tensione interfacciale è la chiave per garantire il progresso regolare della reazione di raffinazione. Sono stati condotti esperimenti sulla rimozione di alluminio e calcio dal silicio metallurgico usando vetro di silicato di calcio di sodio come ossidante. I tassi di rimozione dell'alluminio e delle impurità di calcio nel silicio metallurgico hanno raggiunto il 93,1% e il 96,4%, rispettivamente, con il contenuto di alluminio e calcio ridotti a un basso quanto 0. 0 7% e 0,025%, ottenendo un effetto molto buono.

1.Metallo di silicio è ampiamente utilizzato per i contatti tra la sorgente, lo scarico, il cancello ed elettrodi metallici nei dispositivi microelettronici, rendendolo uno dei materiali chiave per la preparazione di circuiti nano-integrati. La composizione di fase, le reazioni interfacciali e i meccanismi di formazione di silicidi metallici funzionali per circuiti integrati a semiconduttore, nonché varie tecniche di preparazione come l'evaporazione termica, l'impianto ionico, la deposizione di sputter e l'epitassia molecolare del fascio molecolare. Vengono esaminate le proprietà materiali di Tisi2, COSI2 e Nisi e il loro impatto sulle prestazioni dei circuiti integrati in diversi nodi tecnologici. Viene analizzata la relazione tra la temperatura di ricottura e la struttura cristallina e i parametri reticolari di Nisi. Vengono chiariti il ​​processo di crescita dei silicidi in metallo di terra rara e la loro barriera e caratteristiche interfacciali con substrati di silicio. Vengono presentate la valutazione delle prestazioni dei suddetti silicidi metallici, rilevamento dei difetti e metodi di test di stabilità termica. L'esplorazione di nuovi tipi di silicidi metallici per circuiti integrati a semiconduttore su larga scala in nodi tecnologici di 32 nm e inferiore è diventato un obiettivo primario per la ricerca futura.

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