Carburo di silicio grosso

Carburo di silicio grana 100 Descrizione

La terza-generazione di dispositivi elettronici di potenza a semiconduttore ad alta-potenza rappresentati da SiC è uno dei dispositivi a semiconduttore di potenza in più rapida crescita nel campo dell'elettronica di potenza.

Il carburo di silicio come tipico rappresentante della terza generazione di materiali semiconduttori, ma anche la tecnologia di produzione dei cristalli più matura e il livello di produzione dei dispositivi, uno dei materiali semiconduttori a larghezza di banda larga più utilizzati, ha formato una catena industriale globale di materiali, dispositivi e applicazioni. È un materiale semiconduttore ideale per applicazioni ad alta-temperatura, alta-frequenza, resistente alle radiazioni-e ad alta-potenza.

Specifiche dei prodotti in carburo di silicio

Fornitori di prodotti in carburo di silicio-ZhenAn International

Produttore di carburo di silicio a grana 100-ZhenAn International

Fornitore di polvere SiC-ZhenAn

Proprietà meccaniche:elevata durezza (durezza Kjeldahl di 3000 kg/mm²), può tagliare il rubino; elevata resistenza all'usura, seconda solo al diamante.

Proprietà termiche:la conduttività termica supera quella del rame metallico, 3 volte quella del Si e da 8 a 10 volte quella del GaAs, buona dissipazione del calore, molto importante per i dispositivi ad alta potenza.

Proprietà chimiche:la resistenza alla corrosione è molto forte, a temperatura ambiente può resistere a quasi tutti gli agenti corrosivi conosciuti. La facile ossidazione della superficie SiC per generare un sottile strato di SiO2, può impedirne l'ulteriore ossidazione, a temperature superiori a 1700 gradi, questo strato di film di ossido si scioglie e si verifica una rapida reazione di ossidazione. Il SiC può essere disciolto nel materiale dell'agente ossidante fuso.

Proprietà elettriche:Il band gap 4H-SiC e 6H-SiC è circa 3 volte quello del Si, 2 volte quello del GaAs; la sua intensità del campo elettrico di rottura è di un ordine di grandezza superiore a quella del Si, e il tasso di deriva degli elettroni di saturazione è 2,5 volte quello del Si. 4H-Il SiC ha un gap di banda più ampio del 6H-SiC.

Carburo di silicio a grana 36 Foto della visita del cliente

Domande frequenti

D: Il prezzo è negoziabile?

R: Sì, non esitate a contattarci in qualsiasi momento per qualsiasi domanda. E per i clienti che desiderano ampliare il mercato, faremo del nostro meglio per supportarli.

D: potete fornire campioni gratuiti?

R: Sì, possiamo fornire campioni gratuiti ai clienti affinché possano verificare la qualità o eseguire analisi chimiche, ma comunicaci i requisiti dettagliati per poter preparare i campioni giusti.

D: Quando puoi consegnare la merce?

A: Di solito, possiamo consegnare la merce entro 15-20 giorni dalla ricezione del pagamento anticipato o della L/C originale.

D: Potete fornire un rapporto di prova rilasciato da SGS o da un'altra ispezione-di terze parti?

R: Sì, possiamo, se i clienti richiedono rapporti sui test di terze parti-.

Ci auguriamo sinceramente di essere il vostro partner, diamo il benvenuto a vecchi e nuovi clienti a visitare la guida e varie forme di colloqui di cooperazione commerciale!

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