Mezzi in carburo di silicio
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Mezzi in carburo di silicio

Il supporto in carburo di silicio nel semiconduttore nella forma principale di esistenza è come materiale di substrato, in base alle sue eccellenti caratteristiche, le prestazioni limite di utilizzo del substrato di carburo di silicio sono migliori rispetto al substrato di silicio.
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Carburo di silicio grana 100 Descrizione

Il carburo di silicio nel semiconduttore nell'esistenza della forma principale è come materiale di substrato, in base alle sue eccellenti caratteristiche, l'uso delle prestazioni limite del substrato di carburo di silicio è migliore del substrato di silicio, il substrato di carburo di silicio può soddisfare le alte temperature e l'alta pressione , alta frequenza, alta potenza e altre condizioni di applicazione, l'attuale substrato di carburo di silicio è stato applicato a dispositivi a radiofrequenza e di potenza.

 

Se sei interessato ai nostri prodotti, contattaci subito! Possiamo personalizzare i nostri prodotti in base alle esigenze del cliente!

 

 

 

Specifiche del carburo di silicio a grana 120

120 fornitori di carburo di silicio a grana-ZhenAn International

 

Articolo SiC F.C Fe2O3 Umidità
SiC 86 86%min 2,4% massimo 2.0%max 0.2%massimo
SiC88 88% minimo 2,3% massimo 2.0%max 0.2%massimo
SiC90 90% minimo 2.0%max 1,8% massimo 0.2%massimo
SiC92 92% minimo 1,8% massimo 1,7% massimo 0.2%massimo
SiC93 93% minimo 1,8% massimo 1,6% massimo 0.2%massimo
SiC95 95% minimo 1.0%max 1,3% massimo 0.2%massimo
SiC97 97% minimo 0.8%massimo 1,2% massimo 0.2%massimo
SiC97.5 97,5% minimo 0.8%massimo 0.9%massimo 0.2%massimo
SiC98 98% minimo 00,5%massimo 00,5%massimo 0.2%massimo

 

Fornitore professionale di carburo di silicio a grana 1200-ZhenAn

1200 Grit Silicon Carbide Professional supplier-ZhenAn

 

Produttore di carburo di silicio a grana 180-ZhenAn International

180 Grit Silicon Carbide manufacturer-ZhenAn International

I vantaggi dei dispositivi in ​​carburo di silicio sono i seguenti:

(1)resistenza ad alta tensione.L'intensità del campo elettrico di rottura è ampia, 10 volte quella del silicio, con dispositivi in ​​carburo di silicio che possono essere preparati per migliorare notevolmente la capacità di resistenza alla tensione, la frequenza operativa e la densità di corrente e ridurre notevolmente la perdita di conduzione del dispositivo. Pertanto, nel processo di applicazione reale, rispetto alla base in silicio, è possibile progettare un volume più piccolo, circa 1/10 dei dispositivi basati su silicio.


(2)Resistenza alle alte temperature.I dispositivi a semiconduttore a temperature più elevate produrranno un'eccitazione intrinseca dei portatori, con conseguente guasto del dispositivo. Maggiore è la larghezza di banda vietata, maggiore è la temperatura operativa limite del dispositivo. La banda proibita del carburo di silicio è vicina a tre volte quella del silicio, il che garantisce l'affidabilità dei dispositivi in ​​carburo di silicio che funzionano ad alte temperature. La temperatura operativa limite dei dispositivi al silicio generalmente non può superare i 300 gradi, mentre la temperatura operativa limite dei dispositivi al carburo di silicio può raggiungere più di 600 gradi. Allo stesso tempo, la conduttività termica del carburo di silicio è superiore a quella del silicio, l'elevata conduttività termica aiuta la dissipazione del calore del dispositivo in carburo di silicio, a parità di potenza di uscita per mantenere una temperatura più bassa, il dispositivo in carburo di silicio è quindi anche meno esigente in termini di progettazione del calore dissipazione, che aiuta a raggiungere la miniaturizzazione del dispositivo.


(3) Raggiungere prestazioni ad alta frequenza La velocità di deriva degli elettroni di saturazione del carburo di silicio è elevata, due volte quella del silicio, il che determina che il dispositivo in carburo di silicio può raggiungere una frequenza operativa più elevata e una densità di potenza più elevata. Allo stesso tempo, la perdita di energia del materiale del substrato in carburo di silicio è inferiore. Alla stessa tensione e frequenza di conversione, a 400 V, la perdita di energia dell'inverter MOSFET al carburo di silicio è circa il 29%-60% della perdita di energia dell'IGBT a base di silicio; a 800 V, la perdita di energia dell'inverter MOSFET al carburo di silicio è circa il 30%-50% della perdita di energia dell'IGBT a base di silicio. Pertanto la perdita di energia dei dispositivi al carburo di silicio è molto inferiore.

 

Polvere di carburo di silicio a grana 180 Foto della visita del cliente

180 Grit Silicon Carbide Powder Customer visit photos

 

 

 

 

FAQ

 

 

D: Sei un produttore?

R: Sì, siamo un produttore con sede nella città di Anyang, nella provincia di Henan. In qualità di fornitore professionale di materie prime metallurgiche, mettiamo sempre al primo posto la qualità del prodotto. Utilizziamo le attrezzature e la tecnologia più avanzate dal controllo delle materie prime, al processo di produzione e al sistema di controllo qualità per garantire che i nostri prodotti soddisfino gli standard di settore e soddisfino le esigenze dei clienti.

 

D: Che tipo di termini di pagamento accetti?

R: Per piccoli ordini, puoi pagare tramite T/T, Western Union o Paypal, ordine nominale tramite T/T o LC sul nostro conto aziendale

 

D:Come posso ottenere un campione di supporti in carburo di silicio?

R: Sono disponibili campioni gratuiti, ma le spese di spedizione saranno a tuo carico e le spese ti verranno restituite o detratte dal tuo ordine in futuro.

 

D: Come verificare la qualità del prodotto prima di effettuare ordini?

R: Puoi ottenere campioni gratuiti per alcuni prodotti, devi solo pagare il costo di spedizione o organizzare un corriere per ritirare i campioni. Puoi inviarci le specifiche e le richieste del tuo prodotto, produrremo i prodotti in base alle tue richieste.

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